El diodo más largo del mundo, tan largo como la fibra óptica que lo contiene

La fibra óptica se fabrica mediante un proceso industrial llamado estirado, que permite incorporar materiales estructurados en el interior de la fibra. Orf et al. publican en PNAS la fabricación de un fibra óptica que contiene una fina capa de selenio en contacto con hilos zinc-estaño que actúa como un diodo semiconductor distribuido a lo largo de su longitud, un diodo tan largo como la propia fibra (Orf et al. han fabricado uno de 35 metros de largo y cuya sección transversal es solo de 100 nanómetros). En el proceso de estirado se calienta en un horno una preforma que “chorrea” como la leche condensada en un hilo fino y que se enfría conforme cae; en la parte baja del tren de estirado se enrolla la fibra en un tambor que estira la fibra a gran velocidad (ver la figura). Hoy en día se puede incluir en la preforma cierta estructura (agujeros o capas de material diferente), lo que requiere un ajuste fino de los parámetros del estirado. En el trabajo de Orf et al. se ha incorporado en la fibra una heteroestructura electrónica por lo que se ha logrado fabricar por primera vez un diodo semiconductor de longitud arbitraria. La posibilidad de sintetizar dispositivos electrónicos activos dentro de las fibras ópticas promete gran número de aplicaciones optoelectrónicas de gran complejidad y funcionalidad. Nicholas D. Orf, Ofer Shapira, Fabien Sorin, Sylvain Danto, Marc A. Baldo, John D. Joannopoulos, and Yoel Fink, “Fiber draw synthesis,” PNAS, Published online before print March 4, 2011.

Publicado en Nature: No existen estados ligados con más de tres excitones en arseniuro de galio

La ausencia de pico en la diagonal demuestra que no existe el tetraexcitón (cuadexciton). (C) Nature.

Un excitón es una especie de “átomo” formado por un electrón y un hueco aparejados por la fuerza eléctrica de Coulomb en un semiconductor; se ligan igual que el electrón y el protón en un átomo de hidrógeno. Dos pares electrón-hueco, dos excitones, se pueden aparejar en un biexcitón (equivalente a la molécula de hidrógeno, H2) y tres en un triexcitón. Turner y Nelson (MIT, EE.UU.) publican en Nature un artículo que demuestra que en arseniuro de galio no existen estados ligados con más de tres excitones. Para ello han utilizado una nueva técnica de espectroscopia óptica no lineal coherente que usa un láser de femtosegundos (milbillonésimas de segundo). El trabajo puede tener aplicaciones en el diseño de nuevas células solares fotovoltáicas. Nos lo cuenta Gregory D. Scholes, “Condensed-matter physics: The dance of electrons and holes,” Nature 466: 1047–1048, 26 August 2010, haciéndose eco del artículo técnico de Daniel B. Turner, Keith A. Nelson, “Coherent measurements of high-order electronic correlations in quantum wells,” Nature 466: 1089–1092, 26 August 2010.

Os recuerdo algunas ideas sobre la conducción de la corriente eléctrica en un sólido cristalino. Los átomos de un sólido cristalino están ordenados en una estructura periódica tridimensional. Los electrones se encuentran deslocalizados por todo el sólido ocupando estados discretos de energía. El principio de exclusión de Pauli prohibe que dos electrones ocupen el mismo estado energético. Como todos los electrones en el sólido tienen números cuánticos parecidos, cada nivel de energía de un electrón en un solo átomo se divide, cuando hay N electrones en el sólido, en N niveles de energía muy próximos entre sí. Se forma una banda de energía, casi continua. Al siguiente nivel de energía le pasa lo mismo y se forma una segunda banda de energía, y así sucesivamente. La banda de menor energía completamente rellena de electrones se denomina banda de valencia. La siguiente banda, que está prácticamente vacía, se llama banda de conducción, por que los electrones responsables de la conducción eléctrica en el sólido son los que ocupan dicha banda. En los aislantes y semiconductores existe una región de energía prohibida (banda prohibida o bandgap) entre las bandas de valencia y conducción. Si la banda prohibida es muy grande, no hay electrones que puedan saltar de la banda de valencia a la de conducción y el sólido es un aislante. Si la banda prohibida es pequeña, habrá electrones que puedan saltar y el sólido es un semiconductor. Si no existe la banda prohibida, porque las bandas de valencia y conducción tienen una intersectan entre sí, el sólido es un conductor.

El arseniuro de galio (GaAs) es un semiconductor. Cuando absorbe un fotón, un electrón salta de la banda de valencia (llena de electrones) a la banda de conducción (vacía), dejando tras de sí un “hueco” (de carga opuesta al electrón) en la banda de valencia. Para la mecánica cuántica el hueco y el electrón se comportan como dos partículas en pie de igualdad, aunque de cargas opuestas. El hueco y el electrón se pueden mover de forma independiente por el material a temperatura ambiente. Un electrón en un sólido se mueve como si tuviera una masa “efectiva” diferente de su masa en reposo en el vacío y que depende del sólido considerado. El hueco también se mueve con una masa “efectiva” que es diferente a la del electrón. A baja temperatura (por debajo de 10 Kelvin en el GaAs), el electrón y el hueco pueden atraerse mutuamente por la fuerza de Coulomb y formar un estado estable, el excitón, muy similar a un átomo. Como tanto el electrón como el hueco son fermiones (partículas de espín semientero), el excitón tiene 2 estados posibles (L y H) con niveles de energía muy próximos. Dos excitones pueden ligarse entre sí para formar un biexcitón, una especie de molécula formada por dos electrones y dos huecos, que puede tener tres estados posibles (HH, HL y LL) con niveles de energía próximos. Tres excitones pueden formar un triexcitón con cuatro estados posibles de energía (HHH, HHL, HLL y LLL). En teoría se podrían formar estados ligados con más de tres excitones (multiexcitones).

El artículo de Turner y Nelson ha demostrado que en el GaAs no existen estados con cuatro excitones. La figura clave es la que abre esta entrada en la que se observa un línea (diagonal) a trozos. En dicha línea tendrían que observarse un pico correspondiente al estado HHHH del tetraexcitón (cuadexciton en inglés). En otras figuras parecidas se deberían observar picos asociados a sus otros posibles estados HHHL, HHLL, HLLL y LLLL. Como no se observa ningún pico, los autores concluyen que no existen los estados tetraexcitón en el GaAs y de ahí que tampoco existen estados multiexcitones con más de tres excitones. ¿Cómo se tendría que ver en la figura de la entrada el pico correspondiente a un tetraexcitón? Abajo tenéis lo que se ve para el estado HHH del triexcitón. El artículo técnico presenta otras figuras que analizan el comportamiento de los triexcitones en el GaAs, ya que si bien los estados de excitón y biexcitón habían sido muy estudiados en GaAs, este es uno de los primeros artículos que estudia los estados de triexcitón.